La publicación explica las especificaciones principales y los pines de un mosfet 2N7000G de canal N de baja potencia y señal pequeña.
Mosfets vs BJTs
Cuando hablamos de mosfets normalmente lo asociamos con aplicaciones de alta corriente, alto voltaje y alta potencia.
Sin embargo, al igual que los BJT ordinarios, también hay disponibles mosftes de pequeña señal que pueden usarse con la misma eficacia que sus homólogos BJT.
Los mosfets son populares por su capacidad de entrega de potencia extremadamente alta, pero son más pequeños con sus dimensiones generales.
A diferencia de los BJT, los mosfets manejarían grandes corrientes y voltajes sin aumentar de tamaño y sin involucrar etapas intermedias de búfer o etapas de controlador de alta corriente.
Cómo se activa Mosfet
La mayor ventaja de usar un mosfet es que se puede activar según se desee para operar una carga determinada independientemente de la corriente de accionamiento de la puerta.
La característica anterior permite que los mosfets se activen directamente desde fuentes de baja corriente, como salidas CMOS o TTL, sin la necesidad de etapas de búfer, una gran diferencia en comparación con los BJT.
La característica anterior también se aplica a los mosfets de señal pequeña que se pueden reemplazar directamente por BJT de señal pequeña, como un BC547, para obtener resultados mucho más eficientes. Una de esas especificaciones de la hoja de datos del mosfet de señal pequeña se analiza aquí.
Es el mosfet 2N7000G de canal N, normalmente adecuado para aplicaciones de señales pequeñas en el rango de 200 mA y 60 V como máximo.
La resistencia del estado de encendido a través de sus terminales de drenaje y fuente suele ser de alrededor de 5 ohmios. Las características principales de este mosfet de señal pequeña y baja potencia se enumeran a continuación:
Principales características eléctricas:
Voltaje de drenaje a fuente Vdss = 60 V CC Voltaje de puerta a fuente Vgs = +/- 20 V CC, +/- 40 V CC pico no repetitivo, no superior a 50 microsegundos Corriente de drenaje Id = 200 mA CC continua, 500 mA pulsada
Disipación de potencia total Pd a Tc = 250 C (temperatura de unión) = 350 mW Los pines y los detalles del paquete se pueden ver aquí:
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