Cómo construir un inversor de onda sinusoidal pura de 100 vatios

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El circuito proporcionado en este artículo le muestra una forma sencilla de construir un inversor pequeño útil que es fácil de construir y, sin embargo, proporciona las características de un inversor de onda sinusoidal pura. El circuito se puede modificar fácilmente para obtener salidas más altas.

Introducción

Comencemos la discusión sobre cómo construir un inversor de onda sinusoidal de 120 voltios y 100 vatios, aprendiendo primero los detalles del funcionamiento del circuito:



El circuito se puede dividir básicamente en dos etapas, a saber: la etapa del oscilador y la etapa de salida de potencia.

Etapa del oscilador:

Consulte la explicación detallada sobre esta etapa en este artículo de onda sinusoidal pura.



La etapa de salida de potencia:

Mirando el diagrama del circuito podemos ver que toda la configuración se compone fundamentalmente de tres secciones.

La etapa de entrada que consta de T1 y T2 forma un amplificador diferencial discreto, responsable de aumentar la señal de entrada de baja amplitud del generador de seno.

La etapa del controlador consta de T4 como componente principal cuyo colector está conectado al emisor de T3.

La configuración reproduce bastante un diodo Zener ajustable y se utiliza para establecer la corriente de reposo del circuito.

Una etapa de salida completa que comprende los transistores Darlington T7 y T8 forma la etapa final del circuito después de la etapa del conductor.

Las tres etapas anteriores están integradas entre sí para formar un circuito inversor de onda sinusoidal de alta potencia perfecto.

La mejor característica del circuito es su alta impedancia de entrada, alrededor de 100K, que ayuda a mantener la forma de onda sinusoidal de entrada intacta y libre de distorsiones.

El diseño es bastante sencillo y no planteará ningún problema si se construye correctamente según el diagrama del circuito y las instrucciones proporcionadas.

Potencia de la batería

Como todos sabemos, el mayor inconveniente de los inversores de onda sinusoidal son sus dispositivos de salida RED HOT, que reducen drásticamente la eficiencia general del sistema.

Esto se puede evitar aumentando el voltaje de la batería de entrada hasta los límites máximos tolerables posibles de los dispositivos.

Esto ayudará a reducir los requisitos de corriente del circuito y, por lo tanto, ayudará a mantener los dispositivos más fríos. El enfoque también ayudará a aumentar la eficiencia del sistema.

Aquí, el voltaje se puede aumentar hasta 48 voltios más / menos conectando ocho baterías pequeñas de 12 voltios en serie como se muestra en la figura.

Las baterías pueden ser de 12 V, 7 AH cada una y pueden estar conectadas en serie para obtener el suministro necesario para el circuito inversor.

El TRANSFORMADOR es un tipo hecho a pedido, con un devanado de entrada de 48 - 0 - 48 V, 3 amperios, la salida es de 120 V, 1 amperio.

Una vez hecho esto, puede estar seguro de una salida de onda sinusoidal pura limpia y sin complicaciones que se puede utilizar para alimentar CUALQUIER aparato eléctrico, incluso su computadora.

Ajustar el preajuste

El preajuste P1 puede usarse para optimizar la forma de onda sinusoidal en la salida y también para aumentar la potencia de salida a niveles óptimos.

A continuación se muestra otra etapa de potencia de salida que utiliza MOSFET, que se pueden utilizar junto con el circuito generador sinusoidal mencionado anteriormente para hacer un inversor de onda sinusoidal pura de alta potencia de 150 vatios.

Lista de partes

R1 = 100 K

R2 = 100 K

R3 = 2K

R4,5,6,7 = 33 E

R8 = 3K3,

R9 = 1K PREAJUSTADO,

R10,11,12,13 = 1K2,

R14,15 = 470E,

R16 = 3K3,

R17 = 470E,

R18,19,21,24 = 12E,

R22 = 220, 5 VATIOS

R20,25 = 220E,

R23 = 56E, 5 VATIOS

R26 = 5E6, ½ VATIO

C1 = 2,2 uF, PPC,

C2 = 1n,

C3 = 330pF,

C6 = 0,1 uF, mkt,

T1 = BC547B 2nos. par emparejado

T2 = BC557B 2nos. par emparejado

T3 = BC557B,

T4 = BC547B,

T7,9 = TIP32,

T5,6,8 = TIP31,

T10 = IRF9540,

T11 = IRF540,

Lista de piezas del oscilador

R1 = 14K3 (12K1),

R2, R3, R4, R7, R8 = 1K,

R5, R6 = 2K2 (1K9),

R9 = 20K

C1, C2 = 1 µF, TANT.

C3 = 2µF, TANT (DOS 1µF EN PARALELO)

IC = 324




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